DE SALVADOR DAVIDE

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Struttura Dipartimento di Fisica e Astronomia "Galileo Galilei"
Telefono 0498277107
Qualifica Professore associato confermato
Settore scientifico FIS/03 - FISICA DELLA MATERIA
Rubrica di Ateneo  Visualizza
 

Proposte di tesi
L’interazione coerente tra fasci di particelle cariche relativistiche e cristalli è studiato per le sua applicazioni nell’ambito della manipolazione di fasci e dell’emissioni di raggi-X ad alta energia. Tra queste interazioni il channeling è forse la più interessante: le particelle cariche che si propagano in direzione quasi parallela ai piani o assi cristallografici, risultano intrappolate nel loro moto dal potenziale elettrostatico degli atomi ordinati. In presenza di cristalli curvi o di cristalli sottili (ovvero con dimensioni paragonabili alla lunghezza di oscillazione delle particelle) il fascio subisce potenti effetti di deflessioni ottenibili con campi magnetici di centinia di Tesla. Le traiettorie confinate permettono inoltre di modulare l’emissione di radiazione a seguito della deflessione e/o perdita di energia delle particelle. Il materiale più usato per queste applicazioni è il Si date le ampie conoscenze che si hanno riguardo alla sua lavorazione e l’estrema perfezione cristallina. Recentemente anche il germanio (di simile struttura cristallina ma con un numero atomico circa doppio) viene prodotto con pari qualità cristallina e costituisce una interessante alternativa per studiare gli effetti del numero atomico del materiale sui fenomeni connessi (ci si aspetta ad esempio un maggiore potenziale di confinamento, ed un maggiore potere di emissione di radiazione).
L’attività di ricerca nella quale, si inserisce la presente tesi, riguarda la produzione di una membrana sottile (10 micron) cristallina di Ge per studiare l’interazione di channeling di elettroni relativistici (120GeV) e la produzione di radiazione sulla nanoscala. La tesi prevede sia lo sviluppo del materiale tramite la messa a punto di metodi di lavorazione caratteristici della nano-elettronica presso i laboratori di Legnaro, la caratterizzazione del cristallo tramite diffrazione di raggi-X presso il laboratori del dipartimento, e infine l’indagine dell’interazione di tale cristallo con gli elettroni relativistici presso l’acceleratore H4-SPS del CERN.

Curriculum Vitae
Born in 1972, he received the Degree in physics and the Ph.D. degree from Padova University in 1997 and 2001 respectively. From 2005 he is aggregate professor at Padova University where he teaches semiconductor physics for the Physics and Material science specialist degrees. His research activities were devoted to experimental structural properties of semiconductor materials by exploiting X-ray and ion beam analysis techniques. Moreover, he maturated experience about simulation of experimental data by using continuum differential equation computing, that allows for the development and calibration of predictive physical models. This approach was fruitfully applied to many aspects of dopant and impurities diffusion, segregation and clustering in Si, Ge and III-V semiconductors. This research is strongly connected with micro and nano-electronic applications because it involves fundamental steps of devices fabrication.
As an example of research, the mechanism of B diffusion was investigated at an atomic scale both in amorphous Si and crystalline Si and Ge. Complete models for the interactions among B, free charges and self-interstitial was assessed in Si crystal. This gives a definitive answer to the thirty-years-old debate about the origin of the dependence of the B diffusion coefficient on Si doping level. The relevance of the results obtained in this field is demonstrated by two invited talks that Davide De Salvador gave at the European Material Research Society (EMRS) spring meetings in 2005 and 2008. These works and their extension to Ge semiconductor have been recently published in the Applied Physics Reviews section of the Journal of Applied Physics (1).
In the framework of an international cooperation, he contributed to demonstrate the existence of a new point defect structure in Ge that strongly influences the diffusion of dopants in this material. The structure, called morph, is a special form of self-interstitial in which the additional atom is spread over a nanometric size amorphous pocket (2).
De Salvador coordinates the laboratory of diffraction at physics department and RBS-NRA-channeling analysis activities at national laboratories of Legnaro (LNL-INFN). A recent results obtained by means of these techniques is a PRL publication demonstrating a strong deflection of a MeV proton beam by a flat silicon nano-membrane (3).
De Salvador is responsible for developing analytical and numerical calculation for the physical interpretation of the experimental data that will be particularly useful for this project. He also gained experience in the modeling and development of nanostructured opto-electonic devices (4).
The last presented publication concerns the study of clustering phenomena of F during phase transition from crystalline to amorphous state (5); in this paper analysis was performed with state of the art atom probe tomography technique in the framework of an international cooperation that can be also useful to assess particular physical problems in this project.

De Salvador has authored more than 100 peer reviewed articles (H-index 19) and is referee of Physical Review Letters.

Insegnamenti dell'AA 2017/18
Corso di studio (?) Curr. Codice Insegnamento CFU Anno Periodo Lingua Responsabile
SC1171 COMUNE SC03120603 FISICA DEI SEMICONDUTTORI
Info e programma immatricolati A.A. 2016/17
Attuale A.A. 2017/18
6 II Primo
semestre
ITA DAVIDE DE SALVADOR
SC1174 COMUNE SC01122935 FISICA E TECNOLOGIA DEI SEMICONDUTTORI
Info e programma immatricolati A.A. 2017/18
Attuale A.A. 2017/18
8 I Primo
semestre
ITA DAVIDE DE SALVADOR
SC1174 COMUNE SCN1037879 METODI FISICI DI CARATTERIZZAZIONE DEI MATERIALI E LABORATORIO
Info e programma immatricolati A.A. 2017/18
Attuale A.A. 2017/18
10 I Primo
semestre
ITA CHIARA MAURIZIO
SC1160 COMUNE SC01122891 SPERIMENTAZIONI DI FISICA 2
Info e programma immatricolati A.A. 2016/17
Attuale A.A. 2017/18
6 II Secondo
semestre
ITA DAVIDE DE SALVADOR